Fotoelektrik etki ve Fluoresans Işıması
Fotoelektrik
soğurma, dedektör kristalin ilk elektronları ile gelen gama ışınlarının
etkileşmesi sonucu olur. Bu etkileşim sırasında gama-ışınının bütün
enerjisi kaybolur fakat bu enerji tamamen ikincil elektronlara kinetik enerji
olarak aktarılmaz. Bir kısmı elektronu uyarmak için kullanılır.
Fotoelektrik absorpsiyondan sonra bu sınır enerjiye yakın enerjide x-ışınları
yayınlanır. Bu x-ışınlarının soğurulması ve ikincil elektronların
kinetik enerjilerine dönüşmeleri bir anlamda kayıp enerjiyi geri çağırmak
olacaktır.
Teorik
olarak artık fotonların enerjisinin bir kısmı, geri tepen atomların kinetik
enerjisine geçer ancak bu ihmal edilebilir. Diğer yandan, geri tepen atom
tarafından taşınan momentum önemlidir. Bu sayede momentumun serbest bir
elektron tarafından fotoelektrik etki ile dönüştürülemeyeceği gösterilebilir.
Bu yüzden fotoelektrik etki için kullanılacak elektronların atoma bağlılığı
şarttır.
İyonizasyon
enerjisiyle karşılaştırıldığında, çok daha yüksek enerjili olan
fotonlar için elektron, göreli olarak çok zayıf bağlı olacağından,
fotoelektrik etki neredeyse imkansızdır. Buradan bağlanma enerjisindeki
maksimumdan sonra fotoelektrik ışınım fotonun enerjisinin artmasıyla hızlı
bir düşüşe geçer. Düşük atom numaralı (Z) elementlerin bağlanma
enerjileri de düşük olduğundan fotoelektrik etki burada bahsettiğimiz
fotonlar için güçsüz kalır. Z arttıkça bağlanma enerjisi de artar ve böylece
fotoelektrik etki de artar.
Çok sıkı bağlı olduklarından K kabuğundaki elektronlar fotoelektrik etki için en önemli olanlardır. NaI, CsI ve Ge en çok kullanılan dedektör materyellerden bazılarıdır.